статическая память с произвольным доступом (SRAM) — тип памяти с произвольным доступом, обеспечивающий быстрый доступ к данным, но физически относительно большой. Память с произвольным доступом (RAM) — это основная память компьютера, в которой определенное содержимое может быть доступно (прочитано или записано) непосредственно центральным процессором за очень короткое время независимо от последовательности (и, следовательно, места), в которой оно было записано. SRAM состоит из флип-флопов — бистабильных схем, состоящих из четырех-шести транзисторов. Как только флип-флоп записывает бит, он сохраняет это значение до тех пор, пока в него не будет записано противоположное значение. SRAM используется в основном для небольших объемов памяти, называемых регистрами в процессоре компьютера, и для быстрой «кэш-памяти».
В отличие от этого, динамическая оперативная память (DRAM) хранит каждый бит в электрическом конденсаторе, а не в флип-флопе, используя транзистор в качестве переключателя для зарядки или разрядки конденсатора. Благодаря меньшему количеству электрических компонентов ячейка памяти DRAM меньше, чем SRAM. Однако доступ к ее значению происходит медленнее, и, поскольку конденсаторы постепенно теряют заряд, хранящиеся в них значения приходится перезаряжать примерно 50 раз в секунду. В микросхеме SRAM каждая ячейка памяти хранит двоичный разряд (1 или 0) до тех пор, пока подается питание. В микросхеме DRAM заряд на отдельных ячейках памяти должен периодически обновляться, чтобы сохранить данные. DRAM обычно используется для основной памяти, потому что чип одного и того же размера может содержать в несколько раз больше DRAM, чем SRAM.
