В 1965 году, через четыре года после того, как корпорации Fairchild Semiconductor и Texas Instruments Inc. выпустили на рынок свои первые интегральные схемы, директор по исследованиям Fairchild Гордон Э. Мур сделал предсказание в специальном выпуске журнала Electronics. Отметив, что общее количество компонентов в этих схемах ежегодно увеличивалось примерно вдвое, он легкомысленно экстраполировал это ежегодное удвоение на следующее десятилетие, предположив, что микросхемы 1975 года будут содержать поразительные 65 000 компонентов на чип.
История доказала правоту Мура. Его смелая экстраполяция с тех пор закрепилась как закон Мура, хотя в середине 1970-х годов период его удвоения был увеличен до 18 месяцев. Что сделало возможным такой резкий рост сложности схем, так это неуклонное уменьшение размеров транзисторов на протяжении десятилетий. Если в конце 1940-х годов размеры типичного транзистора измерялись в миллиметрах, то теперь они составляют около 10 нанометров, то есть коэффициент уменьшения превышает 100 000. Субмикронные характеристики транзисторов были достигнуты в 1980-х годах, когда микросхемы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) стали предлагать мегабитные объемы памяти. На заре XXI века их размеры приблизились к 0,1 микрона, что позволило производить гигабитные микросхемы памяти и микропроцессоры, работающие на гигагерцовых частотах. Закон Мура продолжился во втором десятилетии XXI века с появлением трехмерных транзисторов, размер которых составлял десятки нанометров.
По мере уменьшения размеров транзисторов их стоимость соответственно снизилась с десятков долларов за штуку до тысячных долей пенни. Как любил говорить Мур, каждый год производится больше транзисторов, чем капель дождя в Калифорнии, а производство одного обходится дешевле, чем печать си
