Диод p-i-n

Диод p-i-n — это p-n-переход с профилем примесей, подобранным таким образом, что внутренний слой, «область i», находится между слоем p и слоем n. Диод p-i-n нашел широкое применение в микроволновых схемах. Он может использоваться в качестве СВЧ-коммутатора с практически постоянной емкостью обедненного слоя (равной емкости параллельно-пластинчатого конденсатора с расстоянием между пластинами, равным толщине i-области) и высокой потребляемой мощностью.