p-n-переход, в электронике — граница раздела в диодах, транзисторах и других полупроводниковых приборах между двумя различными типами материалов, называемыми полупроводниками p-типа и n-типа. Эти материалы образуются в результате преднамеренного добавления примесей к чистым полупроводниковым материалам, таким как кремний. Полупроводники p-типа содержат дырки — подвижные вакансии в электронной структуре, имитирующие положительно заряженные частицы, в то время как полупроводники n-типа содержат свободные электроны. Через такой переход электрический ток течет легче в одном направлении, чем в другом.
Если положительный полюс батареи подключить к p-стороне перехода, а отрицательный — к n-стороне, уровни Ферми двух материалов сдвигаются таким образом, что способствуют протеканию заряда через переход. Если же батарея подключена в противоположном направлении, то обратному смещению уровней Ферми противостоит наведенное электрическое поле, и заряд может протекать в очень малом количестве. Это свойство p-n-перехода называется выпрямлением и используется в выпрямителях для преобразования переменного тока (AC) в постоянный (DC).
